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  • 08
    2025-08
    在芯片制造的多個(gè)環(huán)節(jié),丹東半導(dǎo)體設(shè)備展現(xiàn)出良好的適配性。從晶圓處理到封裝測(cè)試,設(shè)備的協(xié)同運(yùn)作能力得到提升,減少了因設(shè)備銜接問(wèn)題導(dǎo)致的時(shí)間損耗。
  • 08
    2025-08
    關(guān)于丹東離子源配件的選型,常有用戶疑問(wèn)如何匹配不同型號(hào)的離子源設(shè)備。實(shí)際上,需結(jié)合設(shè)備的工作參數(shù)(如功率、離子束強(qiáng)度)及應(yīng)用場(chǎng)景(如半導(dǎo)體摻雜、材料改性)綜合判斷,建議參考設(shè)備廠商提供的配件兼容性列表。
  • 05
    2025-08
    在物料蒸發(fā)階段,蒸發(fā)臺(tái)坩堝的耐高溫特性與熱傳導(dǎo)效率發(fā)揮著關(guān)鍵作用。通過(guò)加熱元件對(duì)坩堝的均勻加熱,內(nèi)部物料可在設(shè)定溫度下逐步汽化,形成穩(wěn)定的蒸汽流。
  • 05
    2025-08
    結(jié)構(gòu)完整性檢查是蒸發(fā)臺(tái)行星鍋日常維護(hù)的首要環(huán)節(jié)。需重點(diǎn)查看鍋體與傳動(dòng)部件的連接是否緊密,螺栓、軸承等緊固件有無(wú)松動(dòng)或磨損跡象,行星攪拌系統(tǒng)的運(yùn)轉(zhuǎn)是否順暢,有無(wú)異常卡頓或異響。
  • 05
    2025-08
    在離子注入工藝中,離子源弧光室的性能直接關(guān)系到離子束的強(qiáng)度與均勻性。通過(guò)合理控制弧光室內(nèi)的氣壓、溫度及電磁場(chǎng)參數(shù),可實(shí)現(xiàn)對(duì)離子種類、能量的準(zhǔn)確調(diào)控,滿足不同半導(dǎo)體器件的摻雜需求。
  • 05
    2025-08
    外觀檢查是排查蒸發(fā)臺(tái)配件故障的第一步。仔細(xì)觀察配件表面是否有破損、變形、腐蝕等物理?yè)p傷,連接部位是否松動(dòng)或錯(cuò)位,這些直觀的跡象往往能指向故障的大致方向。
  • 05
    2025-08
    清潔工作是維護(hù)注入機(jī)離子源燈絲的重要環(huán)節(jié)。由于設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行可能積累灰塵、雜質(zhì),這些物質(zhì)附著在燈絲表面會(huì)影響熱傳導(dǎo)效率,進(jìn)而導(dǎo)致性能下降。清潔時(shí)需使用專用工具,避免劃傷燈絲表面,同時(shí)選擇合適的清潔劑,確保在去除污漬的同時(shí)不損傷燈絲材質(zhì)。
  • 02
    2025-08
    在材料選擇環(huán)節(jié),注入機(jī)離子源配件多采用耐高溫合金或陶瓷復(fù)合材料,加工前需對(duì)原材料進(jìn)行成分檢測(cè)與性能測(cè)試,確保其符合抗熱震、耐離子濺射的使用需求。
  • 02
    2025-08
    首先,進(jìn)行故障現(xiàn)象記錄。詳細(xì)觀察半導(dǎo)體設(shè)備配件出現(xiàn)的異常表現(xiàn),如運(yùn)行異響、參數(shù)波動(dòng)、功能失效等,同時(shí)記錄故障發(fā)生的時(shí)間、頻率及相關(guān)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài),為后續(xù)分析提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
  • 02
    2025-08
    在晶圓制造階段,丹東半導(dǎo)體設(shè)備的應(yīng)用尤為關(guān)鍵。光刻設(shè)備通過(guò)準(zhǔn)確投射將電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面,為后續(xù)工藝奠定基礎(chǔ);蝕刻設(shè)備則依據(jù)圖案對(duì)晶圓進(jìn)行選擇性刻蝕,形成所需的電路結(jié)構(gòu);沉積設(shè)備可在晶圓表面形成均勻的薄膜,滿足芯片多層結(jié)構(gòu)的制造需求。